ઉચ્ચ ચોકસાઇ C75200 0.5mm*30mm ઝીંક કોપર એલોય બ્રાઇટ સ્ટ્રીપ
રાસાયણિક રચના:
એલોય નં. | રાસાયણિક રચના | |||
Cu | Mn | Ni | Zn | |
સી૭૫૨૦૦ | ૬૩.૦-૬૬.૫ | ૦-૦.૫ | ૧૬.૫-૧૯.૫ | બાકી રહેલું |
સી૭૫૪૧ | ૬૦.૦-૬૪ | ૦-૦.૫ | ૧૨.૫-૧૫.૫ | બાકી રહેલું |
સી૭૭૦૦૦ | ૫૩.૫-૫૬.૫ | ૦-૦.૫ | ૧૬.૫-૧૯.૫ | બાકી રહેલું |
ગુણધર્મો
એલોય નં. | ગુણવત્તા ગ્રેડ | ગુણધર્મો | |||
તાણ | વિસ્તરણ | કઠિનતા પરીક્ષણ | |||
તાકાત | |||||
(કિલોગ્રામફુટ/મીમી 2) | જેઆઈએસ | શાંઘાઈમેટલ | |||
ધોરણો | |||||
સી૭૫૨૦૦ | O | ≥ ૩૮ | ≥ ૨૦ | - | ≥ ૧૧૦ |
૧/૪ કલાક | ૩૮~૪૬ | ≥ ૧૦ | - | ૧૧૦~૧૪૦ | |
૧/૨ કલાક | ૪૪~૫૨ | ≥ ૫ | ૧૨૦~૧૮૦ | ૧૩૦~૧૬૦ | |
૩/૪ કલાક | - | - | - | - | |
H | ૫૨~૬૦ | ≥ ૩ | > ૧૫૦ | ૧૫૦~૧૮૦ | |
EH | ≥ ૫૮ | - | - | ≥ ૧૮૦ | |
SH | - | - | - | - | |
સી૭૫૪૧ | O | ≥ ૩૬ | ≥ ૨૦ | - | ≥ ૧૧૦ |
૧/૪ કલાક | - | - | - | - | |
૧/૨ કલાક | ૪૨~૫૫ | ≥ ૫ | ૧૧૦~૧૭૦ | ૧૧૦~૧૫૦ | |
૩/૪ કલાક | - | - | - | - | |
H | ≥ ૫૦ | ≥ ૩ | > ૧૩૫ | ≥૧૩૫ | |
EH | - | - | - | - | |
SH | - | - | - | - | |
સી૭૭૦૦ | O | - | - | - | - |
૧/૪ કલાક | - | - | - | - | |
૧/૨ કલાક | ૫૫~૬૭ | ≥ ૮ | ૧૫૦~૨૧૦ | ૧૪૦~૨૦૦ | |
૩/૪ કલાક | - | - | - | - | |
H | ૬૪~૭૫ | ≥ ૪ | ૧૮૦~૨૪૦ | ૧૭૫~૨૨૦ | |
EH | ૭૨~૮૨ | - | ૨૧૦~૨૬૦ | ૧૯૫~૨૪૦ | |
SH | ૭૮~૮૮ | - | ૨૩૦~૨૭૦ | ૨૧૦~૨૫૦ |
નામ | રાજ્ય | તાણ શક્તિ | વિસ્તરણ | સ્ટેન્ટાર્ડ |
સી૭૫૪૦૦ | નરમ કઠણ | ≥340 એમપીએ ≥640 એમપીએ | ≥૩૫% ≥1% | જીબી/ટી૨૦૫૯-૨૦૦૦ |
સી૭૫૨૦૦ | નરમ કઠણ | ≥૩૭૫ એમપીએ ≥540 એમપીએ | ≥૨૦% ≥3% | ક્યૂ/હુઆજ ૨૬-૨૦૦૩ |
સી૭૭૦૦૦ | નરમ કઠણ | ≥૪૦૦ એમપીએ ≥૭૦૫-૮૦૫એમપીએ | ≥૪૦% ≥4% | ક્યૂ/હુઆજ ૧૦-૯૭ |
નિકલ સિલ્વર સ્ટ્રીપ્સ/કોપર નિકલ ઝિંક સ્ટ્રીપ્સ માટે અરજીઓ:
૧) કોમ્યુનિકેશન ઇલેક્ટ્રોનિક્સ માટે રક્ષણાત્મક સામગ્રી
2) એન્ટેના સામગ્રી
૩) EMI-રક્ષણ સામગ્રી
૪) વસંત સંપર્ક
૫) ફ્લેક્સિબલ ટર્મિનલ
૬) પર્યાવરણને અનુકૂળ પ્લેટિંગ-મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનિક ભાગો અને ઘટકો
૭) ક્વાર્ટઝ ઓસિલેટર
૮) ઉચ્ચ-સ્તરીય સામગ્રી
9) ઇલેક્ટ્રિક સામગ્રી