ઉચ્ચ ચોકસાઇ C75200 0.5mm*30mm ઝીંક કોપર એલોય બ્રાઇટ સ્ટ્રીપ
રાસાયણિક રચના:
| એલોય નં. | રાસાયણિક રચના | |||
| Cu | Mn | Ni | Zn | |
| સી૭૫૨૦૦ | ૬૩.૦-૬૬.૫ | ૦-૦.૫ | ૧૬.૫-૧૯.૫ | બાકી રહેલું |
| સી૭૫૪૧ | ૬૦.૦-૬૪ | ૦-૦.૫ | ૧૨.૫-૧૫.૫ | બાકી રહેલું |
| સી૭૭૦૦૦ | ૫૩.૫-૫૬.૫ | ૦-૦.૫ | ૧૬.૫-૧૯.૫ | બાકી રહેલું |
ગુણધર્મો
| એલોય નં. | ગુણવત્તા ગ્રેડ | ગુણધર્મો | |||
| તાણ | વિસ્તરણ | કઠિનતા પરીક્ષણ | |||
| તાકાત | |||||
| (કિલોગ્રામફુટ/મીમી 2) | જેઆઈએસ | શાંઘાઈમેટલ | |||
| ધોરણો | |||||
| સી૭૫૨૦૦ | O | ≥ ૩૮ | ≥ ૨૦ | - | ≥ ૧૧૦ |
| ૧/૪ કલાક | ૩૮~૪૬ | ≥ ૧૦ | - | ૧૧૦~૧૪૦ | |
| ૧/૨ કલાક | ૪૪~૫૨ | ≥ ૫ | ૧૨૦~૧૮૦ | ૧૩૦~૧૬૦ | |
| ૩/૪ કલાક | - | - | - | - | |
| H | ૫૨~૬૦ | ≥ ૩ | > ૧૫૦ | ૧૫૦~૧૮૦ | |
| EH | ≥ ૫૮ | - | - | ≥ ૧૮૦ | |
| SH | - | - | - | - | |
| સી૭૫૪૧ | O | ≥ ૩૬ | ≥ ૨૦ | - | ≥ ૧૧૦ |
| ૧/૪ કલાક | - | - | - | - | |
| ૧/૨ કલાક | ૪૨~૫૫ | ≥ ૫ | ૧૧૦~૧૭૦ | ૧૧૦~૧૫૦ | |
| ૩/૪ કલાક | - | - | - | - | |
| H | ≥ ૫૦ | ≥ ૩ | > ૧૩૫ | ≥૧૩૫ | |
| EH | - | - | - | - | |
| SH | - | - | - | - | |
| સી૭૭૦૦ | O | - | - | - | - |
| ૧/૪ કલાક | - | - | - | - | |
| ૧/૨ કલાક | ૫૫~૬૭ | ≥ ૮ | ૧૫૦~૨૧૦ | ૧૪૦~૨૦૦ | |
| ૩/૪ કલાક | - | - | - | - | |
| H | ૬૪~૭૫ | ≥ ૪ | ૧૮૦~૨૪૦ | ૧૭૫~૨૨૦ | |
| EH | ૭૨~૮૨ | - | ૨૧૦~૨૬૦ | ૧૯૫~૨૪૦ | |
| SH | ૭૮~૮૮ | - | ૨૩૦~૨૭૦ | ૨૧૦~૨૫૦ | |
| નામ | રાજ્ય | તાણ શક્તિ | વિસ્તરણ | સ્ટેન્ટાર્ડ |
| સી૭૫૪૦૦ | નરમ કઠણ | ≥340 એમપીએ ≥640 એમપીએ | ≥૩૫% ≥1% | જીબી/ટી૨૦૫૯-૨૦૦૦ |
| સી૭૫૨૦૦ | નરમ કઠણ | ≥૩૭૫ એમપીએ ≥540 એમપીએ | ≥૨૦% ≥3% | ક્યૂ/હુઆજ ૨૬-૨૦૦૩ |
| સી૭૭૦૦૦ | નરમ કઠણ | ≥૪૦૦ એમપીએ ≥૭૦૫-૮૦૫એમપીએ | ≥૪૦% ≥4% | ક્યૂ/હુઆજ ૧૦-૯૭ |
નિકલ સિલ્વર સ્ટ્રીપ્સ/કોપર નિકલ ઝિંક સ્ટ્રીપ્સ માટે અરજીઓ:
૧) કોમ્યુનિકેશન ઇલેક્ટ્રોનિક્સ માટે રક્ષણાત્મક સામગ્રી
2) એન્ટેના સામગ્રી
૩) EMI-રક્ષણ સામગ્રી
૪) વસંત સંપર્ક
૫) ફ્લેક્સિબલ ટર્મિનલ
૬) પર્યાવરણને અનુકૂળ પ્લેટિંગ-મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનિક ભાગો અને ઘટકો
૭) ક્વાર્ટઝ ઓસિલેટર
૮) ઉચ્ચ-સ્તરીય સામગ્રી
૯) ઇલેક્ટ્રિક સામગ્રી
૧૫૦,૦૦૦ ૨૪૨૧