અમારી વેબસાઇટ્સ પર આપનું સ્વાગત છે!
નિકલ200/નિકલ201/Ni200/Ni201 0.025mm ઉચ્ચ શુદ્ધતા 99.5% થી વધુ શુદ્ધ નિકલ માઇક્રો વાયર
નિકલ200/નિકલ201/Ni200/Ni201 - ગુજરાતી0.025mm 99.5% થી વધુ શુદ્ધ નિકલ માઇક્રો વાયર
તેમાં સારી યાંત્રિક શક્તિ, કાટ-પ્રતિરોધક અને ગરમી-પ્રતિરોધક શક્તિ છે.
તે રેડિયો, ઇલેક્ટ્રિક લાઇટ સ્ત્રોત, મશીનરી ઉત્પાદન, રાસાયણિક ઉદ્યોગ માટે યોગ્ય છે અને વેક્યુમ ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં એક મહત્વપૂર્ણ માળખાકીય સામગ્રી છે.
તેનો વ્યાપકપણે ઇલેક્ટ્રિક ઉપકરણો, રાસાયણિક મશીનરી, સારા પ્રોસેસિંગ સાધનો, રિચાર્જેબલ બેટરી કમ્પ્યુટર, સેલ્યુલર ફોન, પાવર ટૂલ્સ, કેમકોર્ડર વગેરેમાં ઉપયોગ થાય છે.
રાસાયણિક રચના
| ગ્રેડ | તત્વ રચના/% | |||||||
| ની+કો | Mn | Cu | Fe | C | Si | Cr | S | |
| Ni201 - ગુજરાતી | ≥૯૯.૦ | ≤0.35 | ≤0.25 | ≤0.30 | ≤0.02 | ≤0.3 | ≤0.2 | ≤0.01 |
| Ni200 | ≥૯૯.૦ | /≤0.35 | ≤0.25 | ≤0.30 | ≤0.15 | ≤0.3 | ≤0.2 | ≤0.01 |
પ્રોપર્ટીસ
| ઘનતા | ગલનબિંદુ | વિસ્તરણનો ગુણાંક | કઠોરતાનું મોડ્યુલસ | સ્થિતિસ્થાપકતાનું મોડ્યુલસ | વિદ્યુત પ્રતિકારકતા | |
| Ni200 | ૮.૯ ગ્રામ/સેમી૩ | ૧૪૪૬°C | ૧૩.૩ µm/m °C (૨૦-૧૦૦°C) | ૮૧ કિએન/મીમી૨ | ૨૦૪kN/mm2 | ૯.૬μW• સેમી |
| Ni201 - ગુજરાતી | ૧૪૪૬°C | ૧૩.૧µm/મી °C(૨૦-૧૦૦°C) | ૮૨ કિએન/મીમી૨ | ૨૦૭kN/mm2 | ૮.૫μW• સેમી |
| વ્યાસ(મીમી) | સહનશીલતા(મીમી) | વ્યાસ(મીમી) | સહનશીલતા(મીમી) |
| ૦.૦૩-૦.૦૫ | ±૦.૦૦૫ | > ૦.૫૦-૧.૦૦ | ±૦.૦૨ |
| > ૦.૦૫-૦.૧૦ | ±૦.૦૦૬ | >૧.૦૦-૩.૦૦ | ±૦.૦૩ |
| > ૦.૧૦-૦.૨૦ | ±૦.૦૦૮ | > ૩.૦૦-૬.૦૦ | ±૦.૦૪ |
| > ૦.૨૦-૦.૩૦ | ±૦.૦૧૦ | > ૬.૦૦-૮.૦૦ | ±૦.૦૫ |
| > ૦.૩૦-૦.૫૦ | ±૦.૦૧૫ | >૮.૦૦-૧૨.૦ | ±૦.૪ |
કોલ્ડ-ડ્રોઇંગ સ્ટ્રીપ પ્રકારનું સ્પષ્ટીકરણ
| જાડાઈ(મીમી) | સહનશીલતા(મીમી) | પહોળાઈ(મીમી) | સહનશીલતા(મીમી) |
| ૦.૦૫-૦.૧૦ | ±૦.૦૧૦ | ૫.૦૦-૧૦.૦ | ±૦.૨ |
| > ૦.૧૦-૦.૨૦ | ±૦.૦૧૫ | >૧૦.૦-૨૦.૦ | ±૦.૨ |
| > ૦.૨૦-૦.૫૦ | ±૦.૦૨૦ | >૨૦.૦-૩૦.૦ | ±૦.૨ |
| > ૦.૫૦-૧.૦૦ | ±૦.૦૩૦ | >૩૦.૦-૫૦.૦ | ±૦.૩ |
| >૧.૦૦-૧.૮૦ | ±૦.૦૪૦ | >૫૦.૦-૯૦.૦ | ±૦.૩ |
| >૧.૮૦-૨.૫૦ | ±૦.૦૫૦ | > ૯૦.૦-૧૨૦.૦ | ±0.5 |
| > ૨.૫૦-૩.૫૦ | ±૦.૦૬૦ | >૧૨૦.૦-૨૫૦.૦ | ±૦.૬ |
તમારો સંદેશ અહીં લખો અને અમને મોકલો.
-
ફોન
-
ઈ-મેલ
-
વોટ્સએપ
-
વીચેટ
જુડી
૧૫૦,૦૦૦ ૨૪૨૧
-
ટોચ