ચાઇના ફેક્ટરી પ્રાઈસ પર્માલોય 1 જે 85/1 જે 79 1 જે 50 એનઆઈ 50 1 જે 46 એનઆઈ 46 યુએનએસ 45-પરમ્લોય સોફ્ટ મેગ્નેટિક એલોય વાયર મેન્યુફેક્ચર અને ફેક્ટરી

અમારી વેબસાઇટ્સ પર આપનું સ્વાગત છે!

English

ફેક્ટરી કિંમત પરમાલોય 1 જે 85/1 જે 79 1 જે 50 એનઆઈ 50 1 જે 46 એનઆઈ 46 યુએનએસ 45-પરમ્લોય સોફ્ટ મેગ્નેટિક એલોય વાયર

ટૂંકા વર્ણન:

મોડેલ નંબર.:પરમાલોય વાયર

સપાટી:તેજસ્વી

પેકેજ:લાકડાનો કેસ

વ્યાસ:0.1 ~ 10 મીમી

ટ્રેડમાર્ક:ટાંકીઆઈઆઈ

મૂળ:ચીકણું

એચએસ કોડ:75052200

ઉત્પાદન ક્ષમતા:3000 ટન/વર્ષ

અમને ઇમેઇલ મોકલો

ઉત્પાદન વિગત

ચપળ

ઉત્પાદન ટ tag ગ્સ

મુખ્યત્વે energy ર્જા રૂપાંતર અને માહિતી પ્રક્રિયા માટે બે ક્ષેત્રોમાં વપરાય છે

પાવર ઉદ્યોગમાં, મુખ્યત્વે ઉચ્ચ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં magn ંચી ચુંબકીય ઇન્ડક્શન અને એલોયની ઓછી કોર ખોટ હોય છે. ઇલેક્ટ્રોનિક્સ ઉદ્યોગમાં, મુખ્યત્વે નીચા અથવા મધ્યમ એલોયમાં magn ંચી ચુંબકીય અભેદ્યતા અને ઓછી જબરદસ્ત બળ હોય છે. ઉચ્ચ આવર્તન પર પાતળા પટ્ટી અથવા એલોય ઉચ્ચ પ્રતિકારકતા પર બનાવવામાં આવશે. સામાન્ય રીતે શીટ અથવા પટ્ટી સાથે.

ઉપયોગના બદલામાં નરમ ચુંબકીય સામગ્રી, વૈકલ્પિક ચુંબકીય એડી પ્રવાહોને સામગ્રીની અંદર પ્રેરિત કરવામાં આવે છે, પરિણામે નુકસાન થાય છે, એલોયનો પ્રતિકાર ઓછો થાય છે, જાડાઈ વધારે હોય છે, વૈકલ્પિક ચુંબકીય ક્ષેત્રની આવર્તન વધારે હોય છે, એડી વર્તમાન નુકસાન વધારે હોય છે, ચુંબકીય વધુ ઘટાડે છે. આ માટે, સામગ્રીને પાતળી શીટ (ટેપ) બનાવવી આવશ્યક છે, અને સપાટીને ઇન્સ્યુલેટીંગ લેયર સાથે કોટેડ કરવી આવશ્યક છે, અથવા ox ક્સાઇડ ઇન્સ્યુલેટીંગ લેયર બનાવવા માટે સપાટી પર કેટલીક પદ્ધતિઓનો ઉપયોગ, જેમ કે એલોય સામાન્ય રીતે મેગ્નેશિયમ ox કસાઈડ ઇલેક્ટ્રોફોરેસિસ કોટિંગનો ઉપયોગ કરે છે.

આયર્ન-નિકલ એલોય મોટે ભાગે વૈકલ્પિક ચુંબકીય ક્ષેત્રના ઉપયોગમાં, મુખ્યત્વે યોક આયર્ન, રિલે, નાના પાવર ટ્રાન્સફોર્મર્સ અને ચુંબકીય રીતે ield ાલ માટે.

નીચે આપેલા અમારા ઉત્પાદનોની વિગતો છે 1 જે 80:

રાસાયણિક -રચના

-નું જોડાણ	C	P	S	Mn	Si
	.
સામગ્રી (%)	0.03	0.020	0.020	0.60 ~ 1.10	1.10 ~ 1.50

-નું જોડાણ	Ni	Cr	Mo	Cu	Fe
સામગ્રી (%)	79.0 ~ 81.5	2.60 ~ 3.00	-	.2.2	ઘાટ

ગરમી -ઉપચાર પદ્ધતિ

દુકાનની નિશાની	એનિલિંગ માધ્યમ	ગરમીનું તાપમાન	તાપમાનનો સમય/એચ રાખો	ઠંડકનો દર
1 જે 80	સુકા હાઇડ્રોજન અથવા શૂન્યાવકાશ, દબાણ 0.1 પીએ કરતા વધારે નથી	1100 ~ 1150º સે ગરમ ભઠ્ઠી સાથે	3 ~ 6	100 ~ 200 º સે / એચ સ્પીડ ઠંડક 400 ~ 500 º સે, ઝડપી 200 º સે ચાર્જ દોરો

1j06,1J12,1J17,1J18,1J22,1J22,1J36,1J38,1J46,1j50,1J51,1J54,1j76,1j77,1j79,1j79,1j80,1J85,1J87

કાયમી ચુંબક એલોયફક્ત ઉચ્ચ કઠિનતા અને યાંત્રિક ગુણધર્મો જ નથી, પરંતુ તેમાં મજબૂત-ડિમેગ્નેટાઇઝેશન ક્ષમતા, ઉચ્ચ જબરદસ્તી મૂલ્ય (20KA/m કરતા વધારે), ચુંબકીય "સખત" અને અન્ય લાક્ષણિકતાઓ પણ છે, તેથી તેને હાર્ડ મેગ્નેટિક એલોય પણ કહેવામાં આવે છે.2j04,2j07,2j09,2j10,2J31,2J53,2J84,2J85સ્થિતિસ્થાપક એલોયઉચ્ચ સ્થિતિસ્થાપક એલોય અને સતત સ્થિતિસ્થાપક એલોય શામેલ કરો. તેનો ઉપયોગ સ્થિતિસ્થાપક સંવેદનશીલ તત્વો, energy ર્જા સંગ્રહ તત્વો અને ચોકસાઇ ઉપકરણોમાં આવર્તન તત્વો જેવા સ્થિતિસ્થાપક તત્વો બનાવવા માટે થાય છે.3j01,3j21,3j53

વિસ્તરણ એલોય (ઇન્વર એલોય)કોવર એલોય, સિરામિક સીલિંગ એલોય, નીચા વિસ્તરણ એલોય અને સતત વિસ્તરણ એલોયમાં વહેંચાયેલા છે. ઇલેક્ટ્રોનિક ઉદ્યોગ, ચોકસાઇ માપવાના સાધનો, ચોકસાઇ ઉપકરણો અને નીચા તાપમાન એન્જિનિયરિંગ અને અન્ય ક્ષેત્રોમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગ.

4 જે 28,4j29,4j32,4j33,4j36,4j40,4j42,4j50

મુખ્ય ઘટકો તરીકે નિકલ, ક્રોમિયમ, એલ્યુમિનિયમ અને આયર્ન સાથે ચોકસાઇ એલોય, રેઝિસ્ટિવિટી મેંગેનીઝ કોપર કરતા લગભગ ત્રણ ગણા વધારે છે, અને તેમાં તાપમાનનું તાપમાન ઓછું છે અને તાંબાની ઓછી થર્મલ સંભાવના છે, જેમાં સારા લાંબા ગાળાના પ્રતિકાર સ્થિરતા અને પ્રતિકાર છે. ઓક્સિડેશન ગુણધર્મો.
તે વિવિધ માપન ઉપકરણો અને મીટરમાં ચોકસાઇ પ્રતિકાર તત્વો બનાવવા માટે, ચોકસાઇ માઇક્રો-રેઝિસ્ટન્સ તત્વો અને સ્ટ્રેન ગેજ બનાવવા માટે યોગ્ય છે.

6J10,6J15,6J20,6J22,6J23,6J24

વિસ્તરણ એલોય
દરજ્જો	સી.ઓ.ટી.	સદસ્ય	≤	Mn	Si	Ni	Cr	Cu	Al	Fe
6 જે 10	.0.05	.0.01	.0.01	.3.3	.2.2	ની+સીઓએમ	9-10	.2.2		.4.4
6 જે 15	.0.05	.0.02	.0.03	.5.5	0.4-1.3	55-61	15-18		.3.3	અણીદાર
6J20	.0.05	.0.01	.0.01	.7.7	0.4-1.3	અણીદાર	20-23		.3.3	.5.5
6 જે 22	.0.04	.0.01	.0.01	0.5-1.5	.2.2	અણીદાર	19-21.5		2.7-3.2	2-3
6 જે 23	.0.04	.0.01	.0.01	0.5-1.5	.2.2	અણીદાર	19-21.5	2-3	2.7-3.2
6 જે 24	.0.04	.0.01	.0.01	1.0-3.0	0.9-1.5	અણીદાર	19-21.5		2.7-3.2	.5.5